大容量等离子去胶机CPN-H67-16/16A

主要技术参数：

1.可去胶及剥离光刻所造成的底膜.

2.可刻蚀3～4μ线条的多晶硅.氮化硅薄膜.

3.速率：去  胶＞1000A°/min

         多晶硅＞2000A°/min

         氮化硅＞800A°/min

4.均匀性：＜ 5%

5.本底真空：5 Pa

6.反应室结构：不锈钢笼式

7.一次去胶容量：　2″硅片——240片  3″硅片——150片 4″ 硅片——100片   5″硅片——50片           H67-16A

8.一次工作周期：20～30分钟

9.高频电源：1功率：0～1000W    2频率：H67-16型10～13Mc（自激式）

其中H67-16A型13.56Mc（晶振它激式）并带有匹配网络和功率计。